casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores ópticos - Fotodiodos / MTAPD-05-003
Número de pieza del fabricante | MTAPD-05-003 |
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Número de parte futuro | FT-MTAPD-05-003 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MTAPD-05-003 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Longitud de onda | 800nm |
Color - Mejorado | Infrared (NIR) |
Rango espectral | 450nm ~ 1050nm |
Tipo de diodo | Avalanche |
Responsividad @ nm | 50 A/W @ 800nm |
Tiempo de respuesta | - |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Actual - Oscuro (Tipo) | - |
Área activa | 500µm Dia |
Ángulo de visión | - |
Temperatura de funcionamiento | -20°C ~ 55°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-5 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTAPD-05-003 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MTAPD-05-003-FT |
PDB-C170
Advanced Photonix
PDB-C168
Advanced Photonix
PDB-C160SM
Advanced Photonix
PDB-C158F
Advanced Photonix
PDB-C157
Advanced Photonix
PDB-C156F
Advanced Photonix
PDB-C156
Advanced Photonix
PDB-C142
Advanced Photonix
PDB-C139
Advanced Photonix
PDB-C134F
Advanced Photonix
XC7A25T-1CSG325I
Xilinx Inc.
APA300-PQ208A
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1PQ208
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8
Intel
5SGXMA5N3F40I3LN
Intel
EP3SL340F1517I4L
Intel
LFE2M35SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN672E
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-3N
Intel
5SGSMD4H3F35I3LN
Intel