casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MTA8ATF51264HZ-2G6B1
Número de pieza del fabricante | MTA8ATF51264HZ-2G6B1 |
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Número de parte futuro | FT-MTA8ATF51264HZ-2G6B1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MTA8ATF51264HZ-2G6B1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR4 |
Tamaño de la memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frecuencia de reloj | 1333MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.2V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTA8ATF51264HZ-2G6B1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MTA8ATF51264HZ-2G6B1-FT |
MT53D6DABE-DC
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D4BD-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D4BD-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D4CB-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D4CB-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D4NZ-046 WT:A
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D4NZ-046 WT:A TR
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D4SB-046 XT ES:A
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel