casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT61M256M32JE-12 AAT:A TR
Número de pieza del fabricante | MT61M256M32JE-12 AAT:A TR |
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Número de parte futuro | FT-MT61M256M32JE-12 AAT:A TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT61M256M32JE-12 AAT:A TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | RAM |
Tecnología | SGRAM - GDDR6 |
Tamaño de la memoria | 8Gb (256M x 32) |
Frecuencia de reloj | 1.5GHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.21V ~ 1.29V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 180-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 180-FBGA (12x14) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT61M256M32JE-12 AAT:A TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT61M256M32JE-12 AAT:A TR-FT |
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8HR-053 WT:B
Micron Technology Inc.
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel