casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT61M256M32JE-10 N:A
Número de pieza del fabricante | MT61M256M32JE-10 N:A |
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Número de parte futuro | FT-MT61M256M32JE-10 N:A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT61M256M32JE-10 N:A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | RAM |
Tecnología | SGRAM - GDDR6 |
Tamaño de la memoria | 8Gb (256M x 32) |
Frecuencia de reloj | 1.25GHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.21V ~ 1.29V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 180-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 180-FBGA (12x14) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT61M256M32JE-10 N:A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT61M256M32JE-10 N:A-FT |
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT:D TR
Micron Technology Inc.
XC3S200A-5FG320C
Xilinx Inc.
M2GL010-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXMBBR3H43C2LN
Intel
XC5VLX50-1FFG1153C
Xilinx Inc.
XC2VP4-6FF672C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676I
Xilinx Inc.
XC7A35T-2CS324I
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-CM36TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H2F34I2SGES
Intel
5AGXBB3D4F35C5N
Intel