casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR
Número de pieza del fabricante | MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frecuencia de reloj | 1866MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR-FT |
MT53D4DABD-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DACB-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DACR-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DACR-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DADT-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DADT-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DAHR-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DAKA-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DAKA-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DANW-DC
Micron Technology Inc.
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel