casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53D512M64D4NW-046 WT:D TR
Número de pieza del fabricante | MT53D512M64D4NW-046 WT:D TR |
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Número de parte futuro | FT-MT53D512M64D4NW-046 WT:D TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D512M64D4NW-046 WT:D TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frecuencia de reloj | 2133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M64D4NW-046 WT:D TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53D512M64D4NW-046 WT:D TR-FT |
MT53D4D1ARQ-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4D1ARQ-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4D1ASQ-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4D1ASQ-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DABD-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DACB-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DACR-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DACR-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DADT-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DADT-DC TR
Micron Technology Inc.
XC2V250-6FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQG208
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
Intel
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel