casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53D512M64D4HR-053 WT ES:D
Número de pieza del fabricante | MT53D512M64D4HR-053 WT ES:D |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT53D512M64D4HR-053 WT ES:D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D512M64D4HR-053 WT ES:D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frecuencia de reloj | 1866MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M64D4HR-053 WT ES:D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53D512M64D4HR-053 WT ES:D-FT |
MT53D384M64D4SB-046 XT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4SB-046 XT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4TZ-053 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4TZ-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D4D1ABP-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4D1ARQ-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4D1ARQ-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4D1ASQ-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4D1ASQ-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DABD-DC
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel