casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53D512M32D2DS-053 AAT:D
Número de pieza del fabricante | MT53D512M32D2DS-053 AAT:D |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT53D512M32D2DS-053 AAT:D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 16Gb (512M x 32) |
Frecuencia de reloj | 1866MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53D512M32D2DS-053 AAT:D-FT |
GD5F1GQ4RF9IGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4RF9IGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4RF9IGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
IS43DR16128C-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16320E-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16320E-3DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640C-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640C-3DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-25DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-25DBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel