casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53D1024M64D8WF-053 WT ES:D
Número de pieza del fabricante | MT53D1024M64D8WF-053 WT ES:D |
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Número de parte futuro | FT-MT53D1024M64D8WF-053 WT ES:D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D1024M64D8WF-053 WT ES:D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 64Gb (1G x 64) |
Frecuencia de reloj | 1866MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D1024M64D8WF-053 WT ES:D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53D1024M64D8WF-053 WT ES:D-FT |
MT53B512M64D4EZ-062 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4EZ-062 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NJ-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NK-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NK-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel