casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53D1024M32D4NQ-046 AAT:D TR
Número de pieza del fabricante | MT53D1024M32D4NQ-046 AAT:D TR |
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Número de parte futuro | FT-MT53D1024M32D4NQ-046 AAT:D TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D1024M32D4NQ-046 AAT:D TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 32Gb (1G x 32) |
Frecuencia de reloj | 2133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D1024M32D4NQ-046 AAT:D TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53D1024M32D4NQ-046 AAT:D TR-FT |
MT53B4DBNH-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DBNQ-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DBNQ-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B4DCNK-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DCNK-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B4DCNQ-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DCNQ-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B4DCNY-DC
Micron Technology Inc.
MT53B512M16D1Z11MWC1
Micron Technology Inc.
MT53B512M16D1Z11MWC2 MS
Micron Technology Inc.
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel