casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53D1024M32D4DT-046 AAT:E
Número de pieza del fabricante | MT53D1024M32D4DT-046 AAT:E |
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Número de parte futuro | FT-MT53D1024M32D4DT-046 AAT:E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D1024M32D4DT-046 AAT:E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 32Gb (1G x 32) |
Frecuencia de reloj | 2133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D1024M32D4DT-046 AAT:E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53D1024M32D4DT-046 AAT:E-FT |
MT53B4DAPV-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DAPV-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B4DATT-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DATT-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B4DATX-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DAWT-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DBDT-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DBDT-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B4DBEZ-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B4DBNH-DC
Micron Technology Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel