casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B768M64D8NK-053 WT:D
Número de pieza del fabricante | MT53B768M64D8NK-053 WT:D |
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Número de parte futuro | FT-MT53B768M64D8NK-053 WT:D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B768M64D8NK-053 WT:D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 48Gb (768M x 64) |
Frecuencia de reloj | 1866MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B768M64D8NK-053 WT:D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B768M64D8NK-053 WT:D-FT |
MT53B384M64D4TX-053 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4TX-053 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4TX-053 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4TZ-053 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4TZ-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B4DAANK-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DABNK-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DAEZ-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B4DANJ-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DANW-DC
Micron Technology Inc.
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel