casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B512M64D8HR-053 WT:B
Número de pieza del fabricante | MT53B512M64D8HR-053 WT:B |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT53B512M64D8HR-053 WT:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B512M64D8HR-053 WT:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frecuencia de reloj | 1866MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M64D8HR-053 WT:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B512M64D8HR-053 WT:B-FT |
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-062 WT:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-062 XT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-062 XT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NZ-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NZ-053 WT:C
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel