casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR
Número de pieza del fabricante | MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR |
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Número de parte futuro | FT-MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 16Gb (256M x 64) |
Frecuencia de reloj | 1600MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR-FT |
MT52L256M64D2GN-107 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2LZ-107 XT:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2LZ-107 XT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2PD-107 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2PD-107 WT:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2PD-107 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2PD-107 XT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2PD-107 XT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2PP-093 WT:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2PP-093 WT:B TR
Micron Technology Inc.
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation