casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR
Número de pieza del fabricante | MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR |
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Número de parte futuro | FT-MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 16Gb (256M x 64) |
Frecuencia de reloj | 1600MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR-FT |
MT52L256M64D2GN-107 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2LZ-107 XT:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2LZ-107 XT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2PD-107 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2PD-107 WT:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2PD-107 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2PD-107 XT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2PD-107 XT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2PP-093 WT:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2PP-093 WT:B TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel