casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B256M64D2NK-062 WT:C
Número de pieza del fabricante | MT53B256M64D2NK-062 WT:C |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT53B256M64D2NK-062 WT:C |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B256M64D2NK-062 WT:C Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 16Gb (256M x 64) |
Frecuencia de reloj | 1600MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B256M64D2NK-062 WT:C Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B256M64D2NK-062 WT:C-FT |
MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PU-107 WT:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PU-107 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1V01MWC2 MS
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2GN-107 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2GN-107 WT:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2GN-107 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2LZ-107 XT:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2LZ-107 XT:B TR
Micron Technology Inc.
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel