casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B128M32D1NP-062 AUT:A
Número de pieza del fabricante | MT53B128M32D1NP-062 AUT:A |
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Número de parte futuro | FT-MT53B128M32D1NP-062 AUT:A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (128M x 32) |
Frecuencia de reloj | 1600MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B128M32D1NP-062 AUT:A-FT |
MT49H32M18FM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18FM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18FM-25E:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18FM-25E:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18FM-33:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18FM-33:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M9BM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M9BM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M9BM-33:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M9BM-33:B TR
Micron Technology Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel