casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR
Número de pieza del fabricante | MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR |
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Número de parte futuro | FT-MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (128M x 32) |
Frecuencia de reloj | 1600MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 200-WFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR-FT |
MT40A1G8WE-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A2G4WE-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A2G4WE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AUT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A4G4NRE-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G4HX-083E:A
Micron Technology Inc.
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel