casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B128M32D1DS-062 AAT:A
Número de pieza del fabricante | MT53B128M32D1DS-062 AAT:A |
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Número de parte futuro | FT-MT53B128M32D1DS-062 AAT:A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (128M x 32) |
Frecuencia de reloj | 1600MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 200-WFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B128M32D1DS-062 AAT:A-FT |
MT40A4G4NRE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A2G4WE-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A2G4WE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AUT:B TR
Micron Technology Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7
Intel
5SGXEB6R2F40C2L
Intel
EP4CGX15BF14C7N
Intel
XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.
EP1S30F1020C7N
Intel