casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR
Número de pieza del fabricante | MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR |
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Número de parte futuro | FT-MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (128M x 32) |
Frecuencia de reloj | 1600MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 200-WFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR-FT |
MT40A1G8WE-075E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A2G4WE-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A2G4WE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AUT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A4G4NRE-075E:B TR
Micron Technology Inc.
XC4010XL-3TQ144C
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FGG484I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C4N
Intel
5SGXEA9K3H40C4N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
5CGTFD7C5U19I7N
Intel
5CGXBC7C7U19C8N
Intel
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
5SGXEA3H2F35I2N
Intel