casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C
Número de pieza del fabricante | MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C |
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Número de parte futuro | FT-MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 32Gb (1G x 32) |
Frecuencia de reloj | 1866MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C-FT |
MT49H32M18BM-33:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CBM-18:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CBM-18:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CBM-25 IT:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CBM-25 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CFM-18:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CFM-18:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CFM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CFM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CFM-25E:B
Micron Technology Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation