casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT52L256M64D2QA-125 XT ES:B
Número de pieza del fabricante | MT52L256M64D2QA-125 XT ES:B |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT52L256M64D2QA-125 XT ES:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT52L256M64D2QA-125 XT ES:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Tamaño de la memoria | 16Gb (256M x 64) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.2V |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L256M64D2QA-125 XT ES:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT52L256M64D2QA-125 XT ES:B-FT |
MT49H16M36BM-25E:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-33:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-33:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M36FM-18:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M36FM-18:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M36FM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M36FM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M36FM-25E:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M36FM-25E:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-18:B
Micron Technology Inc.
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel