casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT49H8M36SJ-25E:B TR
Número de pieza del fabricante | MT49H8M36SJ-25E:B TR |
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Número de parte futuro | FT-MT49H8M36SJ-25E:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT49H8M36SJ-25E:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | DRAM |
Tamaño de la memoria | 288Mb (8M x 36) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 15ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 144-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 144-FBGA (18.5x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H8M36SJ-25E:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT49H8M36SJ-25E:B TR-FT |
MT47H64M4BP-37E:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M4BP-37E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-25:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-25E IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-25E L:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-25E:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-3 IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-37E IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-37E:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-3:D TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel