casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT47R256M4CF-3:H
Número de pieza del fabricante | MT47R256M4CF-3:H |
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Número de parte futuro | FT-MT47R256M4CF-3:H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47R256M4CF-3:H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 1Gb (256M x 4) |
Frecuencia de reloj | 333MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 450ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.55V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FBGA (8x10) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47R256M4CF-3:H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT47R256M4CF-3:H-FT |
MT47H128M16RT-25E XIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M16PK-25E IT:C
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E XIT:C
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-3:C
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-187E:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E AAT:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E AIT:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E IT:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-25E L:G
Micron Technology Inc.
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel