casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT47H64M16B7-37E:A
Número de pieza del fabricante | MT47H64M16B7-37E:A |
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Número de parte futuro | FT-MT47H64M16B7-37E:A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H64M16B7-37E:A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frecuencia de reloj | 267MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 400ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 92-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 92-FBGA (11x19) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H64M16B7-37E:A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT47H64M16B7-37E:A-FT |
MT29F2G08ABAEAWP-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADBWP-12IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABADAWP-AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABAWP-M:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAWP-IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G16ABACAWP-IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFABBWP-12IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFABBWP-12IT:B TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672I6
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XC7VX690T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-FPLG84
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel
10AX027E1F29I1HG
Intel