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MT47H512M4THN-3:H Image

Micron Technology Inc. MT47H512M4THN-3:H

Número de pieza de MFG
MT47H512M4THN-3:H
Cantidad disponible
72310 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Micron Technology Inc.
Breve descripción
- IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Memoria
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-MT47H512M4THN-3:H
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
MT47H512M4THN-3:H Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de memoria Volatile
Formato de memoria DRAM
Tecnología SDRAM - DDR2
Tamaño de la memoria 2Gb (512M x 4)
Frecuencia de reloj 333MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 15ns
Tiempo de acceso 450ps
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 63-FBGA
Paquete del dispositivo del proveedor 63-FBGA (9x11.5)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT47H512M4THN-3:H Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto MT47H512M4THN-3:H-FT

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