casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT47H32M16CC-5E L:B
Número de pieza del fabricante | MT47H32M16CC-5E L:B |
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Número de parte futuro | FT-MT47H32M16CC-5E L:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H32M16CC-5E L:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 600ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 84-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 84-FBGA (12x12.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H32M16CC-5E L:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT47H32M16CC-5E L:B-FT |
MT29F64G08TAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08AAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAWP-IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAWP-IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAWP-ITX:B
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAWP:B
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAWP:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08BAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08FACWP:C TR
Micron Technology Inc.
NAND01GW3B2CN6E
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel