casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT47H32M16CC-3E:B
Número de pieza del fabricante | MT47H32M16CC-3E:B |
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Número de parte futuro | FT-MT47H32M16CC-3E:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H32M16CC-3E:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frecuencia de reloj | 333MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 450ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 84-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 84-FBGA (12x12.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H32M16CC-3E:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT47H32M16CC-3E:B-FT |
MT29F64G08CFACBWP-12Z:C
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CFACBWP-12Z:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08EBAAAWP-Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F64G08EBAAAWP-Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08TAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08AAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAWP-IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAWP-IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAWP-ITX:B
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAWP:B
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel