casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT47H256M8EB-25E AIT:C
Número de pieza del fabricante | MT47H256M8EB-25E AIT:C |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT47H256M8EB-25E AIT:C |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H256M8EB-25E AIT:C Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 400ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FBGA (9x11.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H256M8EB-25E AIT:C Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT47H256M8EB-25E AIT:C-FT |
MT29TZZZ7D7EKKBT-107 W.97V TR
Micron Technology Inc.
MT29TZZZ8D5JKEPD-125 W.95T TR
Micron Technology Inc.
MT29TZZZ8D5JKERL-107 W.95E
Micron Technology Inc.
MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q
Micron Technology Inc.
MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q TR
Micron Technology Inc.
MT35XU01GBBA1G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8SA-062E IT:E
Micron Technology Inc.
MT40A1G8SA-062E IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8SA-062E:E
Micron Technology Inc.
XC2S15-5TQG144I
Xilinx Inc.
XCV100E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
XC5VLX110-2FFG1760I
Xilinx Inc.
10AX115S3F45I2SG
Intel
EP20K200CB652C7ES
Intel
EPF8820AQC160-3
Intel