casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT47H256M4B7-5E:A
Número de pieza del fabricante | MT47H256M4B7-5E:A |
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Número de parte futuro | FT-MT47H256M4B7-5E:A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H256M4B7-5E:A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 1Gb (256M x 4) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 600ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 92-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 92-FBGA (11x19) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H256M4B7-5E:A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT47H256M4B7-5E:A-FT |
MT46H64M16LFBF-5 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT46H64M16LFBF-5 AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADBWP-12IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABADAWP-AIT:D TR
Micron Technology Inc.
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel