casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT47H128M8BT-5E L:A
Número de pieza del fabricante | MT47H128M8BT-5E L:A |
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Número de parte futuro | FT-MT47H128M8BT-5E L:A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H128M8BT-5E L:A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 600ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 92-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 92-FBGA (11x19) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H128M8BT-5E L:A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT47H128M8BT-5E L:A-FT |
MT46H64M16LFBF-5 IT:B
Micron Technology Inc.
MT46H64M16LFBF-5 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M16LFBF-5 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M16LFBF-6 AAT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M16LFBF-5 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT46H64M16LFBF-5 AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel