casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT47H128M4CF-25E:G TR
Número de pieza del fabricante | MT47H128M4CF-25E:G TR |
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Número de parte futuro | FT-MT47H128M4CF-25E:G TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H128M4CF-25E:G TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 512Mb (128M x 4) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 400ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FBGA (8x10) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H128M4CF-25E:G TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT47H128M4CF-25E:G TR-FT |
MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H128M16LFCK-5 IT:A
Micron Technology Inc.
MT46H128M16LFCK-6 IT:A
Micron Technology Inc.
MT46H128M32L2MC-5 IT:A
Micron Technology Inc.
MT46H128M32L2MC-5 WT:B
Micron Technology Inc.
MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H128M32L2MC-6 IT:A
Micron Technology Inc.
MT46H128M32L2MC-6 WT:B
Micron Technology Inc.
MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H16M32LFBQ-5 AIT:C
Micron Technology Inc.
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED6N3F45I4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel