casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT46V64M8CY-5B:J
Número de pieza del fabricante | MT46V64M8CY-5B:J |
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Número de parte futuro | FT-MT46V64M8CY-5B:J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT46V64M8CY-5B:J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 700ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 2.7V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FBGA (8x12.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V64M8CY-5B:J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT46V64M8CY-5B:J-FT |
MT47H32M16HW-25E IT:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HW-25E:G
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-187E:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25 IT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25E AAT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25E AIT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25E IT:G
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25E IT:G TR
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