casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT46V32M8CY-5B:M
Número de pieza del fabricante | MT46V32M8CY-5B:M |
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Número de parte futuro | FT-MT46V32M8CY-5B:M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT46V32M8CY-5B:M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR |
Tamaño de la memoria | 256Mb (32M x 8) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 700ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 2.7V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FBGA (8x12.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V32M8CY-5B:M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT46V32M8CY-5B:M-FT |
MT47H64M16HR-3 AAT:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-3 AIT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-3 IT:G
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-3 IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-3 IT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-3 IT:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-3 L:G
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-3 L:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-3:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-3:G TR
Micron Technology Inc.
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel