casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT46V16M16CY-5B:M
Número de pieza del fabricante | MT46V16M16CY-5B:M |
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Número de parte futuro | FT-MT46V16M16CY-5B:M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT46V16M16CY-5B:M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR |
Tamaño de la memoria | 256Mb (16M x 16) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 700ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 2.7V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FBGA (8x12.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V16M16CY-5B:M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT46V16M16CY-5B:M-FT |
MT47H32M16HR-25E:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-3:F
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HW-25E AAT:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HW-25E IT:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HW-25E:G
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-187E:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25 IT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25E AAT:H
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel