casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT45W4MW16BFB-706 WT
Número de pieza del fabricante | MT45W4MW16BFB-706 WT |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT45W4MW16BFB-706 WT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT45W4MW16BFB-706 WT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | PSRAM |
Tecnología | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Tamaño de la memoria | 64Mb (4M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 54-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 54-VFBGA (6x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT45W4MW16BFB-706 WT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT45W4MW16BFB-706 WT-FT |
MT29F32G08CBADBWP-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADBWPR:D
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CFACAWP:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAWP:E
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CFCBBWP-10:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CFCBBWP-10M:B
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AFAAAWP-ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEFBWP-M:F
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEFBWP:F
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel