casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT45W4MW16BBB-706 WT TR
Número de pieza del fabricante | MT45W4MW16BBB-706 WT TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT45W4MW16BBB-706 WT TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT45W4MW16BBB-706 WT TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | PSRAM |
Tecnología | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Tamaño de la memoria | 64Mb (4M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 54-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 54-VFBGA (6x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT45W4MW16BBB-706 WT TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT45W4MW16BBB-706 WT TR-FT |
MT29F1G08ABAEAWP:E
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBWP-10:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBWP-10M:B
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADBWP-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADBWPR:D
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CFACAWP:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAWP:E
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CFCBBWP-10:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CFCBBWP-10M:B
Micron Technology Inc.
A1020B-PQ100C
Microsemi Corporation
XCV300E-6FG256I
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F1020I4
Intel