casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT45W2MW16BABB-706 WT TR
Número de pieza del fabricante | MT45W2MW16BABB-706 WT TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT45W2MW16BABB-706 WT TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT45W2MW16BABB-706 WT TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | PSRAM |
Tecnología | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Tamaño de la memoria | 32Mb (2M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 54-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 54-VFBGA (6x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT45W2MW16BABB-706 WT TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT45W2MW16BABB-706 WT TR-FT |
MT29F16G08ABABAWP-IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABABAWP-IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C
Micron Technology Inc.
MT29F16G08AJADAWP-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP:E
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBWP-10:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBWP-10M:B
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADBWP-12:D TR
Micron Technology Inc.
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation