casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT45W1MW16BAFB-856 WT
Número de pieza del fabricante | MT45W1MW16BAFB-856 WT |
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Número de parte futuro | FT-MT45W1MW16BAFB-856 WT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT45W1MW16BAFB-856 WT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | PSRAM |
Tecnología | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Tamaño de la memoria | 16Mb (1M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 85ns |
Tiempo de acceso | 85ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 54-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 54-VFBGA (6x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT45W1MW16BAFB-856 WT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT45W1MW16BAFB-856 WT-FT |
NAND512R3A2SN6F
Micron Technology Inc.
TE28F160C3BD70A
Micron Technology Inc.
TE28F160C3BD90A
Micron Technology Inc.
TE28F160C3TD70A
Micron Technology Inc.
TE28F320C3TD70A
Micron Technology Inc.
MT47H128M4BT-37E:A TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M8B7-37E L:A
Micron Technology Inc.
MT47H128M8B7-37E L:A TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M8B7-37E:A
Micron Technology Inc.
MT47H128M8B7-37E:A TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel