casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT45W1MW16BAFB-706 WT
Número de pieza del fabricante | MT45W1MW16BAFB-706 WT |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT45W1MW16BAFB-706 WT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT45W1MW16BAFB-706 WT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | PSRAM |
Tecnología | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Tamaño de la memoria | 16Mb (1M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 54-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 54-VFBGA (6x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT45W1MW16BAFB-706 WT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT45W1MW16BAFB-706 WT-FT |
JS28F160C3TD70A
Micron Technology Inc.
JS28F320C3BD70A
Micron Technology Inc.
JS28F320C3TD70
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFABBWP-12:B
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFABBWP-12:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFEFBWP:F
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABABAWP-IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABABAWP-IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C
Micron Technology Inc.
MT29F16G08AJADAWP-IT:D
Micron Technology Inc.