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Micron Technology Inc. MT41K512M8V00HWC1-N002

Name: MT41K512M8V00HWC1-N002
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: MT41K512M8V00HWC1-N002
Availability: InStock
Rating: 4.8 (72 reviews)

Número de pieza de MFG: MT41K512M8V00HWC1-N002

Cantidad disponible: 24030 Piezas

Precio de referencia: USD 0

Nuestro precio: Tenemos un gran descuento, contáctenos

Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Micron Technology Inc.

Breve descripción: - IC DRAM 4G PARALLEL

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Memoria

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: MT41K512M8V00HWC1-N002.pdf

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MT41K512M8V00HWC1-N002 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	MT41K512M8V00HWC1-N002
Número de parte futuro	FT-MT41K512M8V00HWC1-N002
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
MT41K512M8V00HWC1-N002 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de memoria	Volatile
Formato de memoria	DRAM
Tecnología	SDRAM - DDR3L
Tamaño de la memoria	4Gb (512M x 8)
Frecuencia de reloj	-
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página	-
Tiempo de acceso	-
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	1.283V ~ 1.45V
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje	-
Paquete / Caja	-
Paquete del dispositivo del proveedor	-
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT41K512M8V00HWC1-N002 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	MT41K512M8V00HWC1-N002-FT

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