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Micron Technology Inc. MT41K512M8V00HWC1-N001
- Número de pieza de MFG
- MT41K512M8V00HWC1-N001
- Cantidad disponible
- 27310 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- Micron Technology Inc.
- Breve descripción
- - IC DRAM 4G PARALLEL
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Memoria
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- MT41K512M8V00HWC1-N001.pdf
MT41K512M8V00HWC1-N001 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | MT41K512M8V00HWC1-N001 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-MT41K512M8V00HWC1-N001 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MT41K512M8V00HWC1-N001 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Formato de memoria | DRAM |
| Tecnología | SDRAM - DDR3L |
| Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Frecuencia de reloj | - |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
| Tiempo de acceso | - |
| interfaz de memoria | Parallel |
| Suministro de voltaje | 1.283V ~ 1.45V |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete / Caja | - |
| Paquete del dispositivo del proveedor | - |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT41K512M8V00HWC1-N001 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | MT41K512M8V00HWC1-N001-FT |
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