casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT41K512M8DA-125:P TR
Número de pieza del fabricante | MT41K512M8DA-125:P TR |
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Número de parte futuro | FT-MT41K512M8DA-125:P TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT41K512M8DA-125:P TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3L |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 13.5ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K512M8DA-125:P TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT41K512M8DA-125:P TR-FT |
MT41J64M16JT-125:G TR
Micron Technology Inc.
MT41J64M16JT-125E:G
Micron Technology Inc.
MT41J64M16JT-15E AAT:G TR
Micron Technology Inc.
MT41J64M16JT-15E AIT:G TR
Micron Technology Inc.
MT41J64M16JT-15E XIT:G TR
Micron Technology Inc.
MT41J64M16JT-187E:G TR
Micron Technology Inc.
MT41J64M16LA-15E:B TR
Micron Technology Inc.
MT41J64M16LA-187E:B TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-107:K
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-107:K TR
Micron Technology Inc.
XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
Intel
EPF10K100EQC240-1N
Intel