casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT41K128M16JT-125 M:K TR
Número de pieza del fabricante | MT41K128M16JT-125 M:K TR |
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Número de parte futuro | FT-MT41K128M16JT-125 M:K TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT41K128M16JT-125 M:K TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3L |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 13.75ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-FBGA (8x14) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K128M16JT-125 M:K TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT41K128M16JT-125 M:K TR-FT |
MT46H8M16LFBF-5:K TR
Micron Technology Inc.
MT46H8M16LFBF-6 AT:K
Micron Technology Inc.
MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR
Micron Technology Inc.
MT46H8M16LFBF-6 IT:K TR
Micron Technology Inc.
MT46H8M16LFBF-6:K
Micron Technology Inc.
W947D6HBHX5E TR
Winbond Electronics
W947D6HBHX5I TR
Winbond Electronics
W947D6HBHX6E
Winbond Electronics
W947D6HBHX6E TR
Winbond Electronics
W948D6FBHX5E
Winbond Electronics
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel