casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT41J256M4JP-15E:G
Número de pieza del fabricante | MT41J256M4JP-15E:G |
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Número de parte futuro | FT-MT41J256M4JP-15E:G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT41J256M4JP-15E:G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 1Gb (256M x 4) |
Frecuencia de reloj | 667MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 78-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 78-FBGA (8x11.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41J256M4JP-15E:G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT41J256M4JP-15E:G-FT |
MT35XU02GCBA2G12-0AUT TR
Micron Technology Inc.
MT35XU02GCBA2G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT35XU02GCBA3G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT35XU02GCBA4G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT35XU256ABA1G12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XU256ABA1G12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT35XU256ABA2G12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XU256ABA2G12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT35XU512ABA1G12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XU512ABA1G12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel