casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT40A512M8RH-083E AUT:B TR
Número de pieza del fabricante | MT40A512M8RH-083E AUT:B TR |
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Número de parte futuro | FT-MT40A512M8RH-083E AUT:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR4 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | 1.2GHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.26V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT40A512M8RH-083E AUT:B TR-FT |
MT35XL256ABA1G12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XL256ABA1G12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL256ABA1GSF-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XL256ABA1GSF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL256ABA2G12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XL256ABA2G12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL256ABA2GSF-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XL256ABA2GSF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL512ABA1G12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XL512ABA1G12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel