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MT40A512M8RH-083E AUT:B TR Image

Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E AUT:B TR

Número de pieza de MFG
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR
Cantidad disponible
17200 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Micron Technology Inc.
Breve descripción
- IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Memoria
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante MT40A512M8RH-083E AUT:B TR
Número de parte futuro FT-MT40A512M8RH-083E AUT:B TR
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Volatile
Formato de memoria DRAM
Tecnología SDRAM - DDR4
Tamaño de la memoria 4Gb (512M x 8)
Frecuencia de reloj 1.2GHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página -
Tiempo de acceso -
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 1.14V ~ 1.26V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 125°C (TC)
Tipo de montaje -
Paquete / Caja -
Paquete del dispositivo del proveedor -
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto MT40A512M8RH-083E AUT:B TR-FT

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