casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT40A512M16LY-062E IT:E
Número de pieza del fabricante | MT40A512M16LY-062E IT:E |
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Número de parte futuro | FT-MT40A512M16LY-062E IT:E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A512M16LY-062E IT:E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR4 |
Tamaño de la memoria | 8Gb (512M x 16) |
Frecuencia de reloj | 1.6GHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.26V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A512M16LY-062E IT:E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT40A512M16LY-062E IT:E-FT |
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D TR
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA1G12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA1G12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA1G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA2G12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA2G12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA2G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA3G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA4G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL02GCBA1G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel