casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT40A4G4NRE-075E:B
Número de pieza del fabricante | MT40A4G4NRE-075E:B |
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Número de parte futuro | FT-MT40A4G4NRE-075E:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A4G4NRE-075E:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR4 |
Tamaño de la memoria | 16Gb (4G x 4) |
Frecuencia de reloj | 1.33GHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.26V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A4G4NRE-075E:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT40A4G4NRE-075E:B-FT |
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W.9G8 TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W ES.G8D
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W ES.G8D TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D TR
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA1G12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA1G12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA1G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA2G12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA2G12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
XC4006E-2TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
M2GL050-1VFG400
Microsemi Corporation
10CX220YF780I5G
Intel
5CGXFC4F6M11I7N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-2
Intel