casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT40A2G4SA-062E:E
Número de pieza del fabricante | MT40A2G4SA-062E:E |
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Número de parte futuro | FT-MT40A2G4SA-062E:E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A2G4SA-062E:E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR4 |
Tamaño de la memoria | 8Gb (2G x 4) |
Frecuencia de reloj | 1.6GHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.26V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A2G4SA-062E:E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT40A2G4SA-062E:E-FT |
MT29F4G08ABADAH4-AATX:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-AATX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-AITX:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-AATX:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-AATX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAM70M3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D
Micron Technology Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7
Intel
5SGXEB6R2F40C2L
Intel
EP4CGX15BF14C7N
Intel
XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.
EP1S30F1020C7N
Intel