casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT40A256M16GE-083E:B
Número de pieza del fabricante | MT40A256M16GE-083E:B |
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Número de parte futuro | FT-MT40A256M16GE-083E:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A256M16GE-083E:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR4 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (256M x 16) |
Frecuencia de reloj | 1.2GHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.26V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-FBGA (14x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A256M16GE-083E:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT40A256M16GE-083E:B-FT |
TE28F128P30T85A
Micron Technology Inc.
TE28F128P33B85A
Micron Technology Inc.
TE28F128P33T85A
Micron Technology Inc.
TE28F256J3D95A
Micron Technology Inc.
TE28F256J3D95B TR
Micron Technology Inc.
TE28F256J3F105A
Micron Technology Inc.
TE28F256P30B95A
Micron Technology Inc.
TE28F256P30BFA
Micron Technology Inc.
TE28F256P30T95A
Micron Technology Inc.
TE28F256P30TFA
Micron Technology Inc.
XC2V250-6FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQG208
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
Intel
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel