casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT40A256M16GE-083E AAT:B
Número de pieza del fabricante | MT40A256M16GE-083E AAT:B |
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Número de parte futuro | FT-MT40A256M16GE-083E AAT:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A256M16GE-083E AAT:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR4 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (256M x 16) |
Frecuencia de reloj | 1.2GHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.26V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-FBGA (14x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A256M16GE-083E AAT:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT40A256M16GE-083E AAT:B-FT |
TE28F256P30TFA
Micron Technology Inc.
TE28F256P33B95A
Micron Technology Inc.
TE28F256P33BFA
Micron Technology Inc.
TE28F256P33T95A
Micron Technology Inc.
TE28F256P33TFA
Micron Technology Inc.
TE28F320J3D75A
Micron Technology Inc.
TE28F640J3D75A
Micron Technology Inc.
TE28F640J3D75B TR
Micron Technology Inc.
TE28F640P30B85A
Micron Technology Inc.
TE28F640P30T85A
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel